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IXDF604PI
IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

Never worry about your high power transistor not turning on and off by using this power driver by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 40 ns. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V.

IXDF604PI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 9ns, 8ns

输出接口数 2

输出电流 4 A

上升时间 9 ns

下降时间 8 ns

下降时间Max 14 ns

上升时间Max 16 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDF604PI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXDF604PI IXYS Semiconductor 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A 搜索库存
替代型号IXDF604PI
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型号: IXDF604PI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: DIP-8

当前型号

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

当前型号

型号: IXDD604PI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: DIP-8

完全替代

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IXDF604PI和IXDD604PI的区别

型号: IXDI604PI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: DIP-8

完全替代

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

IXDF604PI和IXDI604PI的区别

型号: IXDN604PI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: DIP

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