上升/下降时间 9ns, 8ns
输出接口数 2
输出电流 4 A
上升时间 9 ns
下降时间 8 ns
下降时间Max 14 ns
上升时间Max 16 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
电源电压Max 35 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
封装 DIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXDF604PI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: DIP-8 | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A | 当前型号 | |
型号: IXDD604PI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: DIP-8 | 完全替代 | IXDD604 系列 双 低压侧 4 A 35 V 超快 Mosfet 驱动器 - DIP-8 | IXDF604PI和IXDD604PI的区别 | |
型号: IXDI604PI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: DIP-8 | 完全替代 | 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A | IXDF604PI和IXDI604PI的区别 | |
型号: IXDN604PI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: DIP | 类似代替 | IXDN604PI 管装 | IXDF604PI和IXDN604PI的区别 |