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IXDF604PI、IXDI604PI、IXDD604PI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDF604PI IXDI604PI IXDD604PI

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4AIXDD604 系列 双 低压侧 4 A 35 V 超快 Mosfet 驱动器 - DIP-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

上升/下降时间 9ns, 8ns 9ns, 8ns 9ns, 8ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 4 A - 4 A

上升时间 9 ns - 9 ns

下降时间 8 ns - 8 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

下降时间(Max) 14 ns 14 ns -

上升时间(Max) 16 ns 16 ns -

电源电压(Max) 35 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99