IXDI604SIATR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI604SIATR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 9ns, 8ns
输出接口数 2
输出电流Max 4 A
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDI604SIATR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXDI604SIATR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDI604SIATR | IXYS Semiconductor | 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A | 搜索库存 |
替代型号IXDI604SIATR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI604SIATR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A | 当前型号 |
| 型号： IXDI604SIA 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 完全替代 | IXD 系列 双通道 低压侧 4 A 超快 MOSFET 驱动器 表面贴装 - SOIC-8 | IXDI604SIATR和IXDI604SIA的区别 |