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IXDI604SIA、IXDI604SIATR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI604SIA IXDI604SIATR

描述 IXD 系列 双通道 低压侧 4 A 超快 MOSFET 驱动器 表面贴装 - SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 9ns, 8ns 9ns, 8ns

输出接口数 2 2

下降时间(Max) 14 ns -

上升时间(Max) 16 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

输出电流(Max) - 4 A

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99