IXDN630YI

IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

低端栅极驱动器 IC 非反相 TO-263-5

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

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低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

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Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

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Driver 30A 1-OUT Lo Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

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Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin5+Tab TO-263 Tube

IXDN630YI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 11 ns

输出接口数 1

上升时间 11 ns

输出电流Max 30 A

下降时间 11 ns

电源电压 12.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TO-263-5

外形尺寸

长度 9.975 mm

宽度 9.15 mm

封装 TO-263-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDN630YI引脚图与封装图

IXDN630YI引脚图

IXDN630YI封装图

IXDN630YI封装焊盘图

在线购买IXDN630YI

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IXDN630YI	IXYS Semiconductor	低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A	搜索库存

替代型号IXDN630YI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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