IXDN409YI、IXDN630YI、IXDI409YI对比区别

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型号 IXDN409YI IXDN630YI IXDI409YI

描述 IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30AIC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-6 TO-263-5 TO-263-6

引脚数 - 6 -

上升/下降时间 10 ns 11 ns 10 ns

电源电压 4.5V ~ 35V 12.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

输出接口数 - 1 -

上升时间 - 11 ns -

输出电流(Max) - 30 A -

下降时间 - 11 ns -

封装 TO-263-6 TO-263-5 TO-263-6

长度 - 9.975 mm -

宽度 - 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -