ISL6612BCBZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6612BCBZ中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.8V min
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
耗散功率 800 mW
下降时间Max 18 ns
上升时间Max 26 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 800 mW
电源电压 7V ~ 13.2V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6612BCBZ引脚图与封装图 
ISL6612BCBZ引脚图
ISL6612BCBZ封装图
ISL6612BCBZ封装焊盘图
在线购买ISL6612BCBZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6612BCBZ | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6612BCBZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6612BCBZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC 10.8V 8Pin | 当前型号 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 |
| 型号： ISL6612BCBZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC 13.2V 8Pin | 类似代替 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6612BCBZ和ISL6612BCBZ-T的区别 |
| 型号： ISL6612BCB 品牌： 英特矽尔 封装： Surface 13.2V 8Pin | 类似代替 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6612BCBZ和ISL6612BCB的区别 |