IS61QDB42M18A-333M3LI
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Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS61QDB42M18A-333M3LI中文资料参数规格
技术参数
位数 18
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.71V ~ 1.89V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS61QDB42M18A-333M3LI引脚图与封装图 
IS61QDB42M18A-333M3LI引脚图
IS61QDB42M18A-333M3LI封装图
IS61QDB42M18A-333M3LI封装焊盘图
在线购买IS61QDB42M18A-333M3LI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61QDB42M18A-333M3LI | Integrated Silicon SolutionISSI | 静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器 | 搜索库存 |
替代型号IS61QDB42M18A-333M3LI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61QDB42M18A-333M3LI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA | 当前型号 | 静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器 | 当前型号 |
| 型号： IS61QDB42M18A-300B4LI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： | 完全替代 | QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | IS61QDB42M18A-333M3LI和IS61QDB42M18A-300B4LI的区别 |
| 型号： IS61QDB42M18A-333M3I 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA | 类似代替 | SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA | IS61QDB42M18A-333M3LI和IS61QDB42M18A-333M3I的区别 |