IS61QDB42M18A-300B4LI、IS61QDB42M18A-333M3LI、IS61QDB42M18A-333M3对比区别

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型号 IS61QDB42M18A-300B4LI IS61QDB42M18A-333M3LI IS61QDB42M18A-333M3

描述 QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 165 165 -

封装 BGA FBGA-165 -

位数 18 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 - 1.71V ~ 1.89V -

封装 BGA FBGA-165 -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -