位数 36
存取时间 3.3 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 144
封装 FCBGA-144
封装 FCBGA-144
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS49NLC36800-33BLI封装图
IS49NLC36800-33BLI封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS49NLC36800-33BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS49NLC36800-33BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA | 当前型号 | |
型号: IS49NLC36800-33BL 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA | IS49NLC36800-33BLI和IS49NLC36800-33BL的区别 | |
型号: MT49H8M36FM-5 品牌: 镁光 封装: BGA | 功能相似 | DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA Tray | IS49NLC36800-33BLI和MT49H8M36FM-5的区别 | |
型号: MT49H8M36BM-33 品牌: 镁光 封装: BGA | 功能相似 | DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA Tray | IS49NLC36800-33BLI和MT49H8M36BM-33的区别 |