IS49NLC36800-33BLI、MT49H8M36BM-33、IS49NLC36800-33BL对比区别

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型号 IS49NLC36800-33BLI MT49H8M36BM-33 IS49NLC36800-33BL

描述 DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGADRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 144 144 144

封装 FCBGA-144 BGA FCBGA-144

供电电流 - - 580 mA

位数 36 36 36

工作温度(Max) 85 ℃ 95 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

存取时间 3.3 ns - -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

额定电压(DC) - 1.80 V -

工作电压 - 1.80 V -

高度 - - 0.8 mm

封装 FCBGA-144 BGA FCBGA-144

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅