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IS42S32160B-75ETLI

IS42S32160B-75ETLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 133MHz 5.5ns 86-TSOP II


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II


IS42S32160B-75ETLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32160B-75ETLI引脚图与封装图
IS42S32160B-75ETLI封装图

IS42S32160B-75ETLI封装图

IS42S32160B-75ETLI封装焊盘图

IS42S32160B-75ETLI封装焊盘图

在线购买IS42S32160B-75ETLI
型号 制造商 描述 购买
IS42S32160B-75ETLI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II 搜索库存
替代型号IS42S32160B-75ETLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32160B-75ETLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP2

当前型号

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II

当前型号

型号: IS42S32160B-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TFSOP

完全替代

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II, RoHS

IS42S32160B-75ETLI和IS42S32160B-7TL的区别

型号: IS42S32160B-6TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP2

完全替代

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

IS42S32160B-75ETLI和IS42S32160B-6TLI的区别

型号: IS42S32160B-75TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TSOPII

完全替代

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

IS42S32160B-75ETLI和IS42S32160B-75TLI的区别