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IS42S32160B-75ETLI、IS42S32160B-75TLI、IS42S32160F-75ETLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32160B-75ETLI IS42S32160B-75TLI IS42S32160F-75ETLI

描述 DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 86Pin TSOP II, RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

引脚数 86 - 86

存取时间 - 5.5 ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

位数 32 - 32

存取时间(Max) 5.5 ns - 7.5 ns

长度 - 22.42 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅