IS42RM32160E-75BL
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS42RM32160E-75BL中文资料参数规格
技术参数
存取时间 6 ns
存取时间Max 8ns, 6ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 3V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 TFBGA-90
外形尺寸
高度 0.8 mm
封装 TFBGA-90
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS42RM32160E-75BL引脚图与封装图
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在线购买IS42RM32160E-75BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS42RM32160E-75BL | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA | 搜索库存 |
替代型号IS42RM32160E-75BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS42RM32160E-75BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 当前型号 | DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA | 当前型号 |
| 型号： IS42RM32160C-75BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-90 | 功能相似 | IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA | IS42RM32160E-75BL和IS42RM32160C-75BL的区别 |