IS42RM32160C-75BL、IS42RM32160E-75BL对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS42RM32160C-75BL IS42RM32160E-75BL

描述 IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGADRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 TFBGA-90

供电电流 170 mA -

位数 32 -

存取时间 5.4 ns 6 ns

存取时间(Max) 7ns, 5.4ns 8ns, 6ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 3V

电源电压(Max) 2.7 V -

电源电压(Min) 2.3 V -

封装 BGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅