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IS43LR16320C-6BLI

IS43LR16320C-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 8mmx10mm RoHS, IT

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 166 MHz 5.5 ns 60-TFBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA


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IS43LR16320C 6BLI


艾睿:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA


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Verical:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA


IS43LR16320C-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43LR16320C-6BLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43LR16320C-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 8mmx10mm RoHS, IT 搜索库存