IS42S32800D-75EBLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS42S32800D-75EBLI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 180 mA
位数 32
存取时间 7.5 ns
存取时间Max 5.5 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 BGA-90
外形尺寸
封装 BGA-90
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS42S32800D-75EBLI引脚图与封装图
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在线购买IS42S32800D-75EBLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS42S32800D-75EBLI | Integrated Silicon SolutionISSI | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90 | 搜索库存 |
替代型号IS42S32800D-75EBLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS42S32800D-75EBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： Mini-BGA | 当前型号 | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90 | 当前型号 |
| 型号： IS42S32800J-75EBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 90-BGA | 类似代替 | 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133MHz @ CL2, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | IS42S32800D-75EBLI和IS42S32800J-75EBLI的区别 |