IS42S32800D-75EBLI、IS42S32800J-75EBLI对比区别

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型号 IS42S32800D-75EBLI IS42S32800J-75EBLI

描述 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, FBGA-90256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133MHz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA-90

供电电流 180 mA 170 mA

位数 32 32

存取时间 7.5 ns 6 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 7.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 BGA-90 BGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99