IS43LR16160G-6BLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
供电电流 110 mA
位数 16
存取时间 6 ns
存取时间Max 8ns, 5.5ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
电源电压Max 1.95 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 BGA-60
封装 BGA-60
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS43LR16160G-6BLI | Integrated Silicon SolutionISSI | DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS43LR16160G-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60 | 当前型号 | |
型号: IS43LR16160F-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 功能相似 | 动态随机存取存储器 256M, 1.8V 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器 | IS43LR16160G-6BLI和IS43LR16160F-6BLI的区别 |