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IS43LR16160G-6BLI

IS43LR16160G-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 60-TFBGA(8x10)


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IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA


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DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM


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IS43LR16160G-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43LR16160G-6BLI引脚图与封装图
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在线购买IS43LR16160G-6BLI
型号 制造商 描述 购买
IS43LR16160G-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60 搜索库存
替代型号IS43LR16160G-6BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS43LR16160G-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60

当前型号

型号: IS43LR16160F-6BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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