IS43LR16160F-6BLI、IS43LR16160G-6BLI对比区别

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型号 IS43LR16160F-6BLI IS43LR16160G-6BLI

描述 动态随机存取存储器 256M, 1.8V 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 BGA-60

供电电流 80 mA 110 mA

位数 16 16

存取时间 6 ns 6 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) - 1.95 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 BGA-60 BGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99