IS46DR16640B-3DBLA1
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
供电电流 220 mA
位数 16
存取时间 450 ps
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 BGA-84
封装 BGA-84
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS46DR16640B-3DBLA1 | Integrated Silicon SolutionISSI | DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS46DR16640B-3DBLA1 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 当前型号 | DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84 | 当前型号 | |
型号: IS46DR16640B-3DBLA2 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: BGA | 类似代替 | DRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V | IS46DR16640B-3DBLA1和IS46DR16640B-3DBLA2的区别 |