IS46DR16640B-3DBLA1、IS46DR16640B-3DBLA2对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS46DR16640B-3DBLA1 IS46DR16640B-3DBLA2

描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8V

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

供电电流 220 mA 220 mA

位数 16 16

存取时间 450 ps 450 ps

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99