IS43R32800D-5BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144

SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb（8M x 32）并联 144-LFBGA（12x12）

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA

立创商城:
IS43R32800D 5BLI

贸泽:
DRAM 256M 16Mx16 200MHz 2.5v DDR SDRAM

艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA

安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8M x 32 2.5V 144-Pin LFBGA

Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA

IS43R32800D-5BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 480 mA

位数 32

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 LFBGA-144

外形尺寸

封装 LFBGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R32800D-5BLI引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IS43R32800D-5BLI

型号	制造商	描述	购买
IS43R32800D-5BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144	搜索库存

替代型号IS43R32800D-5BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS43R32800D-5BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	当前型号	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144	当前型号
型号： IS43R32800D-5BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： LFBGA	类似代替	DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144Pin LFBGA	IS43R32800D-5BLI和IS43R32800D-5BL的区别
型号： IS43R32800D-6BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 144Pin LFBGA	IS43R32800D-5BLI和IS43R32800D-6BL的区别
型号： IS43R32800B-5BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA	功能相似	IC SDRAM 256Mbit 200MHz 144BGA	IS43R32800D-5BLI和IS43R32800B-5BL的区别