锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS43R32800B-5BL、IS43R32800D-5BLI、HY5RS573225F-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R32800B-5BL IS43R32800D-5BLI HY5RS573225F-2

描述 IC SDRAM 256Mbit 200MHz 144BGADDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) SK Hynix (海力士)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 144 144 -

封装 BGA-144 LFBGA-144 -

供电电流 - 480 mA -

位数 32 32 -

存取时间 - 700 ps -

存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V -

电源电压(Max) - 2.7 V -

电源电压(Min) - 2.3 V -

封装 BGA-144 LFBGA-144 -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active -

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -