IS43DR86400C-3DBLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
供电电流 250 mA
位数 8
存取时间 3 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 BGA-60
封装 BGA-60
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS43DR86400C-3DBLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 S动态随机存取存储器 | 搜索库存 |