IS43DR16640C-25DBLI
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Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS43DR16640C-25DBLI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 200 mA
时钟频率 400 MHz
位数 16
存取时间 400 ns
存取时间Max 0.4 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 BGA-84
外形尺寸
封装 BGA-84
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IS43DR16640C-25DBLI引脚图与封装图
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在线购买IS43DR16640C-25DBLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS43DR16640C-25DBLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga 8mmx12.5mm Rohs, It | 搜索库存 |
替代型号IS43DR16640C-25DBLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS43DR16640C-25DBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA-84 | 当前型号 | 1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga 8mmx12.5mm Rohs, It | 当前型号 |
| 型号： IS43DR16640C-25DBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TFBGA | 类似代替 | 1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga 8mmx12.5mm Rohs | IS43DR16640C-25DBLI和IS43DR16640C-25DBL的区别 |