IS43DR16640C-25DBL、IS43DR16640C-25DBLI、W971GG6KB-25对比区别

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型号 IS43DR16640C-25DBL IS43DR16640C-25DBLI W971GG6KB-25

描述 1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga (8mmx12.5mm) Rohs1g, 1.8V, Ddr2, 64mx16, 400MHz @ Cl5, 84 Ball Bga (8mmx12.5mm) Rohs, It1-Gbit(64M x 16bit)，工作电压：1.8V±0.1V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

引脚数 84 84 84

封装 BGA-84 BGA-84 TFBGA-84

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作电压 - - 1.7V ~ 1.9V

供电电流 200 mA 200 mA 120 mA

位数 16 16 16

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

针脚数 84 - -

时钟频率 400 MHz 400 MHz -

存取时间 400 ns 400 ns -

高度 - - 0.8 mm

封装 BGA-84 BGA-84 TFBGA-84

工作温度 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 EAR99 -