IS43DR16320D-3DBLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
供电电流 230 mA
位数 16
存取时间 450 ps
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 BGA-84
封装 BGA-84
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IS43DR16320D-3DBLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IS43DR16320D-3DBLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 84-BGA | 当前型号 | 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS, IT | 当前型号 | |
型号: IS43DR16320D-3DBI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 84-BGA | 完全替代 | 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 | IS43DR16320D-3DBLI和IS43DR16320D-3DBI的区别 |