IS43DR16320D-3DBI、IS43DR16320D-3DBLI对比区别

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型号 IS43DR16320D-3DBI IS43DR16320D-3DBLI

描述 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

供电电流 230 mA 230 mA

位数 16 16

存取时间 450 ps 450 ps

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99