IS43DR16320C-3DBLI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS43DR16320C-3DBLI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 250 mA
位数 16
存取时间 3 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 BGA-84
外形尺寸
封装 BGA-84
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IS43DR16320C-3DBLI引脚图与封装图
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在线购买IS43DR16320C-3DBLI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS43DR16320C-3DBLI | Integrated Silicon SolutionISSI | 动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 | 搜索库存 |
替代型号IS43DR16320C-3DBLI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS43DR16320C-3DBLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 当前型号 | 动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 | 当前型号 |
| 型号： IS43DR16320C-3DBL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 84-TFBGA | 类似代替 | 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm RoHS | IS43DR16320C-3DBLI和IS43DR16320C-3DBL的区别 |
| 型号： IS43DR16320C-3DBI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA | 类似代替 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin TW-BGA | IS43DR16320C-3DBLI和IS43DR16320C-3DBI的区别 |