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IS43DR16320C-3DBL、IS43DR16320C-3DBLI、MT47H32M16BN-3:D TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16320C-3DBL IS43DR16320C-3DBLI MT47H32M16BN-3:D TR

描述 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器IC SDRAM 512Mbit 333MHz 84FBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 BGA-84 BGA-84 FBGA-84

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 333 MHz - 667MHz (max)

位数 16 16 16

存取时间 450 ps 3 ns 3.00 ns

内存容量 - - 512000000 B

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 250 mA 250 mA -

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

封装 BGA-84 BGA-84 FBGA-84

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -