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IS42S16160G-6BL-TR

IS42S16160G-6BL-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R

SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16160G-6BL-TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 160 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42S16160G-6BL-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S16160G-6BL-TR Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R 搜索库存
替代型号IS42S16160G-6BL-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S16160G-6BL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R

当前型号

型号: IS42S16160D-6BL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TFBGA-54

功能相似

256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, T&R

IS42S16160G-6BL-TR和IS42S16160D-6BL-TR的区别