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IS42S16160D-6BL-TR、IS42S16160G-6BL-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-6BL-TR IS42S16160G-6BL-TR

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&RDRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TFBGA-54 BGA-54

位数 16 16

存取时间 6 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

供电电流 - 160 mA

长度 13 mm -

宽度 8 mm -

高度 0.8 mm -

封装 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99