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IS42S32200L-6B-TR

IS42S32200L-6B-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA T/R


IS42S32200L-6B-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

IS42S32200L-6B-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S32200L-6B-TR Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R 搜索库存
替代型号IS42S32200L-6B-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32200L-6B-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

当前型号

型号: IS42S32200E-6B-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

功能相似

64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm, T&R

IS42S32200L-6B-TR和IS42S32200E-6B-TR的区别