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IS42S32200E-6B-TR、IS42S32200L-6B-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32200E-6B-TR IS42S32200L-6B-TR

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA (8mmx13mm), T&RDRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90Pin TFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

位数 - 32

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

高度 - 0.8 mm

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准