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IS42S16160G-7BL

IS42S16160G-7BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm RoHS

SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA


IS42S16160G-7BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 130 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S16160G-7BL引脚图与封装图
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在线购买IS42S16160G-7BL
型号 制造商 描述 购买
IS42S16160G-7BL Integrated Silicon SolutionISSI 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm RoHS 搜索库存
替代型号IS42S16160G-7BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S16160G-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA 8mmx13mm RoHS

当前型号

型号: IS42S16160D-75EBL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-BGA

类似代替

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, TFBGA-54

IS42S16160G-7BL和IS42S16160D-75EBL的区别

型号: IS42S16160D-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TFBGA

功能相似

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, TFBGA-54

IS42S16160G-7BL和IS42S16160D-7BL的区别