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IS42S16160D-75EBL、IS42S16160G-7BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-75EBL IS42S16160G-7BL

描述 Synchronous DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, TFBGA-54256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 BGA-54

供电电流 180 mA 130 mA

位数 16 16

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) 5.5 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V

封装 BGA-54 BGA-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅