IS61LV6416-12KL

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 12ns 44-SOJ

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

贸泽:
SRAM 1Mb 64Kx16 12ns Async SRAM 3.3v

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ

Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ

IS61LV6416-12KL中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 16

存取时间 12 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.63 V

电源电压Min 2.97 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 SOJ-44

外形尺寸

封装 SOJ-44

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS61LV6416-12KL引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS61LV6416-12KL	Integrated Silicon SolutionISSI	SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ	搜索库存

替代型号IS61LV6416-12KL

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS61LV6416-12KL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： SOJ 1000000B 3.3V 12ns	当前型号	SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ	当前型号
型号： IS61LV6416-12T 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II	完全替代	SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 12ns 44Pin TSOP-II	IS61LV6416-12KL和IS61LV6416-12T的区别
型号： CY7C1021CV33-12VI 品牌：赛普拉斯封装： SOJ	类似代替	64K ×16静态RAM 64K x 16 Static RAM	IS61LV6416-12KL和CY7C1021CV33-12VI的区别
型号： CY7C1021CV33-12VXE 品牌：赛普拉斯封装： SOJ-44 1000000B 3.3V 12ns	功能相似	CY7C1021CV33 系列 1 Mb 64 K x 16 3.3 V 10 ns 静态 RAM - SOJ-44	IS61LV6416-12KL和CY7C1021CV33-12VXE的区别