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CY7C1021CV33-12VI、IS61LV6416-12KL、AS7C31026B-12JIN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021CV33-12VI IS61LV6416-12KL AS7C31026B-12JIN

描述 64K ×16静态RAM 64K x 16 Static RAMSRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 32

封装 SOJ SOJ-44 SOJ-44

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.00V (min)

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

存取时间 - 12 ns 12 ns

内存容量 - 1000000 B 125000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

位数 - 16 -

存取时间(Max) 12 ns 12 ns -

电源电压(Max) - 3.63 V -

电源电压(Min) - 2.97 V -

供电电流 85 mA - -

封装 SOJ SOJ-44 SOJ-44

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Not Recommended Active

包装方式 - Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -