IS42S16400F-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

SDRAM Memory IC 64Mb 4M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

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IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP

Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP

IS42S16400F-6TL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 130 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IS42S16400F-6TL引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS42S16400F-6TL	Integrated Silicon SolutionISSI	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54	搜索库存

替代型号IS42S16400F-6TL

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS42S16400F-6TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TSOP	当前型号	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54	当前型号
型号： IS42S16400J-7TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II 54Pin	类似代替	RAM， ISSIISSI SDR SDRAM 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 ISSI SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度每个时钟周期的随机列地址自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM	IS42S16400F-6TL和IS42S16400J-7TLI的区别
型号： IS42S16400J-6TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TSOP	类似代替	64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54Pin TSOP II RoHS	IS42S16400F-6TL和IS42S16400J-6TL的区别
型号： IS42S16400J-7TL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： 54-TSOP	类似代替	64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54Pin TSOP II RoHS	IS42S16400F-6TL和IS42S16400J-7TL的区别