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IS42S16400F-6TL、IS42S16400J-7TLI、W9864G6IH-6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16400F-6TL IS42S16400J-7TLI W9864G6IH-6

描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 54 54 -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 130 mA 90 mA -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

针脚数 - 54 -

位数 - 16 -

存取时间 - 7 ns -

存取时间(Max) - 5.4 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

长度 - 22.42 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray Each Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -