IXDI509SIAT/R
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI509SIAT/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
输出接口数 1
上升时间 45 ns
下降时间 40 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 45 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压 4.5V ~ 30V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI509SIAT/R引脚图与封装图
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在线购买IXDI509SIAT/R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDI509SIAT/R | IXYS Semiconductor | Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号IXDI509SIAT/R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI509SIAT/R 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： IXDI509SIA 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | IC GATE DRIVER SGL 9A 8-SOIC | IXDI509SIAT/R和IXDI509SIA的区别 |
| 型号： IXDI609SIATR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDI509SIAT/R和IXDI609SIATR的区别 |
| 型号： IXDI609SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | IXD 系列 单 低压侧 9A 外露金属背面 超快 MOSFET 驱动器 SOIC-8 | IXDI509SIAT/R和IXDI609SI的区别 |