IXDI609SI、IXDI509SIAT/R、IXDI609SITR对比区别

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型号 IXDI609SI IXDI509SIAT/R IXDI609SITR

描述 IXD 系列 单 低压侧 9A 外露金属背面 超快 MOSFET 驱动器 SOIC-8Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 22ns, 15ns 25ns, 23ns 22ns, 15ns

输出接口数 1 1 1

上升时间 - 45 ns -

下降时间 - 40 ns -

下降时间(Max) 25 ns 40 ns 40 ns

上升时间(Max) 35 ns 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V

电源电压(Min) - 4.5 V -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -