IXTQ80N28T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ80N28T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 280 V
输入电容Ciss 5000pF @25VVds
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ80N28T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ80N28T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ80N28T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 280V 80A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
替代型号IXTQ80N28T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTQ80N28T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 280V 80A 3Pin3+Tab TO-3P | 当前型号 |
| 型号： IXFH86N30T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 300V 86A | 功能相似 | N沟道 300V 86A | IXTQ80N28T和IXFH86N30T的区别 |
| 型号： IXTQ88N28T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 88A ID, 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IXTQ80N28T和IXTQ88N28T的区别 |