IXTQ80N28T、IXTQ88N28T、IXFH86N30T对比区别

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型号 IXTQ80N28T IXTQ88N28T IXFH86N30T

描述 Trans MOSFET N-CH 280V 80A 3Pin(3+Tab) TO-3PPower Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PINN沟道 300V 86A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

封装 TO-3-3 TO-3 TO-247-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-3-3 TO-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

极性 - - N-CH

耗散功率 500W (Tc) - 830 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 280 V - 300 V

连续漏极电流(Ids) - - 86A

上升时间 - - 18 ns

输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) - 11300pF @25V(Vds)

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) - 860W (Tc)

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)