IXTV200N10TS
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTV200N10TS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 550W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 200A
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
耗散功率Max 550W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLUS-220SMD
外形尺寸
封装 PLUS-220SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTV200N10TS引脚图与封装图
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在线购买IXTV200N10TS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTV200N10TS | IXYS Semiconductor | PLUS220 N-CH 100V 200A | 搜索库存 |
替代型号IXTV200N10TS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTV200N10TS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS220 N-CH 100V 200A | 当前型号 | PLUS220 N-CH 100V 200A | 当前型号 |
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