IXTQ200N10T、IXTV200N10TS、IXTV200N10T对比区别

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型号 IXTQ200N10T IXTV200N10TS IXTV200N10T

描述 N沟道 100V 200APLUS220 N-CH 100V 200ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-3-3 PLUS-220SMD TO-247-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 550W (Tc) 550W (Tc) 550 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 200A 200A -

输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 550W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 5.5 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

上升时间 - - 31 ns

额定功率(Max) - - 550 W

下降时间 - - 34 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-3-3 PLUS-220SMD TO-247-3

长度 - - 11 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 15 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free