IXTP220N055T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP220N055T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 220A
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
下降时间 53 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP220N055T引脚图与封装图
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在线购买IXTP220N055T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP220N055T | IXYS Semiconductor | TO-220AB N-CH 55V 220A | 搜索库存 |
替代型号IXTP220N055T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP220N055T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 55V 220A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 55V 220A | 当前型号 |
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