IXFV30N50PS
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV30N50PS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
输入电容 4.15 nF
栅电荷 70.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
额定功率Max 460 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLUS-220-SMD-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 15 mm
高度 4.7 mm
封装 PLUS-220-SMD-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV30N50PS引脚图与封装图
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在线购买IXFV30N50PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV30N50PS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
替代型号IXFV30N50PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV30N50PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 30A 200mohms 4.15nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 当前型号 |
| 型号： IXFT30N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 500V 30A 200mΩ 4.15nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFV30N50PS和IXFT30N50P的区别 |
| 型号： IXFH30N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 30A 200mΩ 4.15nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V | IXFV30N50PS和IXFH30N50P的区别 |
| 型号： IXTH30N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 500V 30A 4.15nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXFV30N50PS和IXTH30N50P的区别 |