IXFT30N50P、IXFV30N50PS、IXTV30N50P对比区别

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型号 IXFT30N50P IXFV30N50PS IXTV30N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 200 mΩ 200 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 460 W 460 W 460W (Tc)

输入电容 4.15 nF 4.15 nF 4.15 nF

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 70.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 24 ns 24 ns -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

额定功率(Max) - 460 W -

长度 16.05 mm 11 mm -

宽度 14 mm 15 mm -

高度 5.1 mm 4.7 mm -

封装 TO-268-3 PLUS-220-SMD-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free